晶体二极管—特性和参数
一、二极管的特性
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示：
1、正向特性
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
2、反向特性
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
3、击穿特性
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。
4、频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
二、二极管的简易测试方法
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表
表 二极管简易测试方法
项目
正向电阻
反向电阻
测试方法
测试情况
硅管：表针指示位置在中间或中间偏右一点；
锗管：表针指示在右端靠近满刻度的地方（如图所示）表明管子正向特性是好的。 如果表针在左端不动，则管子内部已经断路
硅管：表针在左端基本不动，极靠近OO位置，
锗管：表针从左端起动一点，但不应超过满刻度的1/4（如上图所示），则表明反向特性是好的， 如果表针指在0位，则管子内部已短路
三、二极管的主要参数
1、正向电流IF
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
2、正向电压降VF
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
3、最大整流电流（平均值）IOM
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
4、反向击穿电压VB
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
5、正向反向峰值电压VRM
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
6、反向电流IR
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值
7、结电容C
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
8、最高工作频率fm
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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